一种InTeI单晶体的制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种InTeI单晶体的制备方法

专利类别:

中国发明

专利（申请）号:

202011509550.8

申请日期:

2020-12-18

第一发明人:

程国峰

其他发明人:

周玄，尹晗迪，阮音捷，孙玥

专利授权日期:

2024-02-06