一种MoS2/Si3N4复合吸波陶瓷及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种MoS2/Si3N4复合吸波陶瓷及其制备方法

专利类别:

中国发明

专利（申请）号:

202211564826.1

申请日期:

2022-12-07

第一发明人:

姚秀敏

其他发明人:

拜佳霖，刘学建，黄诗杰，黄政仁

专利授权日期:

2024-02-06