一种非充满型钨青铜结构高熵铁电陶瓷材料及其制备方法和应用--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种非充满型钨青铜结构高熵铁电陶瓷材料及其制备方法和应用

专利类别:

中国发明

专利（申请）号:

202211005832.3

申请日期:

2022-08-22

第一发明人:

王根水

其他发明人:

彭浩南，刘振

专利授权日期:

2024-04-12