一种制备热电厚膜的方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种制备热电厚膜的方法

专利类别:

日本发明

专利（申请）号:

JP2022-552928

申请日期:

2020-05-06

第一发明人:

史迅

其他发明人:

仇鹏飞，高治强，陈立东，杨世琪，杨青雨

专利授权日期:

2024-01-12