一种高导电ZnO薄膜材料及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种高导电ZnO薄膜材料及其制备方法

专利类别:

中国发明

专利（申请）号:

202211091726.1

申请日期:

2022-09-07

第一发明人:

田甜

其他发明人:

李国荣，郑嘹赢，阮学政，满振勇

专利授权日期:

2024-06-04