一种高储能密度PLZT四方相反铁电陶瓷及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种高储能密度PLZT四方相反铁电陶瓷及其制备方法

专利类别:

中国发明

专利（申请）号:

202310498727.6

申请日期:

2023-05-06

第一发明人:

姚春华

其他发明人:

包艺拯，王根水

专利授权日期:

2024-07-12