一种基于选区激光3D打印和两步烧结制备高致密SiC陶瓷的方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

当前位置：首页 > 专利库

专利数据

专利名称:

一种基于选区激光3D打印和两步烧结制备高致密SiC陶瓷的方法

专利类别:

中国发明

专利（申请）号:

202311580946.5

申请日期:

2023-11-24

第一发明人:

殷杰

其他发明人:

王康龙，刘学建，黄政仁，刘雷敏，姚秀敏

专利授权日期:

2024-08-13