一种低电阻老化率PTC陶瓷材料及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种低电阻老化率PTC陶瓷材料及其制备方法

专利类别:

中国发明

专利（申请）号:

202310646182.9

申请日期:

2023-06-02

第一发明人:

欧阳琪

其他发明人:

马名生，张发强，陆毅青，顾燕，刘志甫

专利授权日期:

2024-09-20