一种钙钛矿太阳能电池中填充钙钛矿吸光层的制作装置及其工艺--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种钙钛矿太阳能电池中填充钙钛矿吸光层的制作装置及其工艺

专利类别:

中国发明

专利（申请）号:

202410004002.1

申请日期:

2024-01-03

第一发明人:

孙靖淞

其他发明人:

杨松旺，黄绵吉，寿春晖，陈宗琦，金胜利，贺海晏，黄超鹏，沈黎丽，赵庆宝，陈薪羽，李海艳

专利授权日期:

2024-04-16