一种离子同极溅射镀膜装置及方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种离子同极溅射镀膜装置及方法

专利类别:

中国发明

专利（申请）号:

202110926673.X

申请日期:

2021-08-13

第一发明人:

刘宣勇

其他发明人:

侯志宇，马小涵

专利授权日期:

2024-11-15