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“碳纳米管与InGaZnO是绝配”,美大学试制成功501级环型振荡器
2014-06-25 08:25:23 | 编辑: |点击浏览:次| 【 【打印】【关闭】

  美国南加州大学维特比工程学院(University of Southern California Viterbi School of Engineering)宣布,该校研究人员组合使用碳纳米管(CNTTFT与氧化物半导体InGaZnO TFT,试制出了最大501级的环型振荡器以及逆变器电路、NAND电路、NOR电路等(参阅英文发布资料)。有关论文已在学术杂志《自然通讯》(Nature Communications)上发表。 

    由于可在柔性基板上制作电路,因此除了RFID之外,还有望应用于柔性有机EL显示器的背板、传感器、可穿戴终端、闪存及车载HUDhead-up display,平视显示器)等用途。 

    此次试制将CNT TFT作为p型晶体管、将InGaZnO TFT作为n型晶体管形成互补电路。501级的环型振荡器使用的TFT1000个以上,其中约200个为CNT TFT

  另外,使用20CNT TFT20InGaZnO TFT在硬质基板上制作的电路,其载流子迁移率平均达到了11.8cm2/Vs 

  推进开发的南加州大学电子工程系周崇武教授表示,原来一直在进行将CNT TFT作为n型晶体管使用的研究,但进展不很顺利。所以后来考虑将作为n型晶体管工作的InGaZnO TFTpCNT TFT相结合。周崇武教授介绍说,结果证明的确是绝配。(记者:野泽 哲生) 

  《日经电子》http://china.nikkeibp.com.cn/news/elec/71069-201406201511.html 

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