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东大开发在玻璃基板上溅射层积LED的技术 比GaN-on-Si便宜,还可实现大面积LED
2014-06-27 08:23:17 | 编辑: |点击浏览:次| 【 【打印】【关闭】

      

  

 

    

    

  此次开发的玻璃基板上的LED的构成,以及分别以RGB原色发光的LED元件。 

  东京大学生产技术研究所教授藤冈洋的研究室2014623日宣布,开发出了在玻璃基板上用溅射法形成GaNLED的技术。相关论文已发表在学术杂志《Scientific Reports》上(论文)。除了与现有LED相比可大幅降低制造成本之外,新技术还有可能实现用无机LED制作有机EL那样的大面积发光元件。 

  藤冈教授的研究室在约2英寸(直径约5cm)的玻璃基板上转印了石墨烯多层膜,然后在石墨烯多层膜上用脉冲溅射法分别形成了AlNnGaN、由GaNInGaN的多层构造构成的量子阱、pGaN晶体。 

  藤冈表示,很早以前就开始开发利用溅射法制作LED的技术,“还没有发布过这些技术的详细内容,只是在累积经验”。 

  另外,藤冈研究室还在2008年开发出了在石墨片材上用“脉冲激励沉积法(PXD)”形成GaN晶体的技术。 

   此次在可称得上是最薄石墨片材的石墨烯片材上用溅射法形成了GaN晶体,并确认可实际发光。据介绍,分别制作了以红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)三原色发光的LED 

  目前还无法检测白色发光的发光效率,以及单色状态下的外部量子效率,正在对极低温条件下的内部量子效率进行评估。藤冈教授表示,“与蓝宝石基板上制作的LED相比,内部量子效率要低好几成”。今后的课题是如何将内部量子效率提高至与现有LED相当的水平。(记者:野泽 哲生) 

  《日经电子》http://china.nikkeibp.com.cn/news/elec/71089-201406241543.html 

    

    

 
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