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上海硅酸盐所高纯二氧化碲单晶及其制备方法获得美国专利授权
2015-01-27 14:17:41 | 编辑: | 【 【打印】【关闭】

  近日,由中国科学院上海硅酸盐所中试基地氧化碲组葛增伟、朱勇等人发明的《一种高纯二氧化碲单晶及其制备方法(High-purity Tellurium Dioxide Single Crystal and the Manufacturing Method Thereof)》正式获得美国专利商标局授予的专利授权(美国专利号:US 8480996 B2)。 

  该专利采用二次晶体生长制备方法获得高纯度二氧化碲单晶,尤其是UTh等放射性杂质含量可降低至10-13g/g,因而使得上海硅酸盐所成为大型中微子探测项目(CUORE项目)所需核心探测材料的全球唯一供应商。目前,上海硅酸盐所中试基地氧化碲组已向CUORE项目提供1000多块高纯二氧化碲单晶,实现创汇500多万美元。高纯二氧化碲单晶作为一种大尺寸优质二氧化碲单晶新产品,先后于2010年和2011年获得上海市和国家重点新产品计划资助,取得了良好的社会效益和经济效益。  

 

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