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熔体法晶体生长的微观机理和新型晶体生长模型
2016-10-24 16:22:05 | 编辑: | 【 【打印】【关闭】

SEMINAR   

Artificial Crystal Research Center, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences  

题目:熔体法晶体生长的微观机理和新型晶体生长模型  

报告人殷绍唐 研究员  

时间:2016 10 25 日(周二) 13:30  

地点:嘉定园区 10号楼一楼学术报告厅  

联系人:郑燕青(021-69987762  

  报告内容摘要:从原子分子尺度原位实时研究晶体生长过程中生长基元的结构演化及规律是探索晶体生长微观机制的关键手段。我们的研究采用了高温显微拉曼光谱技术和同步辐射技术等最新的科学观测手段,实现了对熔体法晶体生长过程的原位实时观测,实验上证实了晶体生长时在晶体和熔体之间存在晶体生长边界层,并揭示了在边界层内熔体中的结构基元演化成为具有单胞结构的生长基元,光谱显示生长基元的数量或体积是逐步增大的,生长基元在边界层内形成时已经具有了与籽晶相同的取向性,取向性是在籽晶表面静电场的影响下形成的。在以上研究的基础上提出了新型晶体生长理论模型,许多晶体生长的宏观规律都可以应用该模型找到其形成的微观机制。  

  报告人简介:殷绍唐,中国科学院安徽光学精密机械研究所资深研究员,从事晶体生长研究工作近四十年,先后承担和参加了国家、科学院的研究项目数十项,曾获得国家科技进步奖一项、中国科学院科技进步一等奖一项、二等奖两项。近二十年来,对熔体法晶体生长的微观机理进行了原位实时的实验研究,发现了熔体法晶体生长边界层的存在,以及生长基元在边界层内的演化规律,提出了新型的熔体法晶体生长模型。 

  欢迎广大科研人员和研究生参加!  

  中国科学院上海硅酸盐研究所人工晶体中心 

  上海硅酸盐研究所中试基地院士专家工作站 

  上海高端医学影像设备用单晶材料工程技术研究中心 

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