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基于晶体缺陷调控的铁性智能材料高性能化
2016-11-17 15:54:07 | 编辑: | 【 【打印】【关闭】

  中国科学院无机功能材料与器件重点实验室

信息功能材料与器件研究中心

无机功能材料与器件学术交流报告

(第三期)

基于晶体缺陷调控的铁性智能材料高性能化 

任晓兵 

西安交通大学前沿科学技术研究院 

时间:2016年11月22日(星期二)上午09:30

地点:长宁园区四号楼14楼第一会议室

欢迎职工和研究生参加报告会!

基于晶体缺陷调控的铁性智能材料高性能化 

西安交通大学前沿科学技术研究院 

  21世纪正在成为智能的世纪。能够感知电、磁、力、温度、光等外界环境并作出智能响应的智能材料及智能系统正在改变着世界的几乎所有方面,并孕育着新的产业革命。智能技术的高速发展对智能材料性能提出了前所未有的高要求,亟待出现突破当前性能瓶颈的新理论和新思路。本报告将讲述铁电、形状记忆、铁磁三大类看似不同的铁性智能材料具有高度的物理平行性,通过调控这些材料中的晶体缺陷,可以大幅提高智能材料的性能或引发全新智能特性,从而实现突破智能材料性能瓶颈的新方法。  

  报告人简介: 

  任晓兵教授,铁性智能材料领域国际知名学者、国家“千人计划”学者, “铁性智能材料高性能化” 973项目首席科学家。现任西安交通大学前沿科学技术研究院院长。主要研究方向为铁性智能材料,包括形状记忆合金、压电材料及巨磁致伸缩材料等。在NatureScienceNature MaterialsPhysical Review Letters等期刊发表论文200余篇。论文被引用 1万余篇次;单篇最高被引用1800余篇次。曾获日本金属学会"功勋奖"等多项荣誉。 

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