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基于磁电耦合效应的新型信息存储器件
2017-09-08 16:23:52 | 编辑: | 【 【打印】【关闭】

  SEMINAR
The State Key Lab of
High Performance Ceramics and Superfine Microstructure
Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences
中 国 科 学 院 上 海 硅 酸 盐 研 究 所 高 性 能 陶 瓷 和 超 微 结 构 国 家 重 点 实 验 室

  2016年度国家重点实验室特邀学术报告

  基于磁电耦合效应的新型信息存储器件

  尚大山

  中国科学院物理研究所

  时间:2016年12月16日(星期五)上午9: 00

  地点: 2号楼607会议室(国家重点实验室)

  欢迎广大科研人员和研究生参与讨论!

  联系人:陈立东(4804)

  报告摘要:

  电阻、电容和电感是人们熟知的三种基本电路元件,分别由四个基本电路变量(电压、电流、电荷、磁通)之间的线性关系来定义。1971年,Chua提出应该存在由电荷和磁通之间的关系来定义的电路元件—忆阻器(Memristor),并把它当作第四种基本电路元件。在随后近40年中,忆阻器的概念并没有引起人们太多的注意。2008年,Williams等人宣称找到了缺失多年的忆阻器。这一发现激发了研究者对忆阻器的关注,掀起了忆阻器及其相关器件(如突触记忆、神经计算和布尔逻辑操作等等)的研究热潮。在忆阻器发现的启发下,忆容器(Memcapacitor)和忆感器(Meminductor)也随即被提出。虽然忆阻器具有重要的应用前景,但是,把忆阻器作为第四种基本电路元件,一直受到物理学家的质疑。通过理论分析,我们基于磁电耦合效应中电荷?磁通关系建立了第四种基本电路元件—电耦(Transtance)以及其相应的记忆电路元件—忆耦(Memtranstance)的理论模型,并且预测了电耦和忆耦的特征响应曲线。在此基础上,我们采用具有室温下非线性磁电耦合效应的多铁异质结材料,在真实器件中成功实现了忆耦的性能,并且利用忆耦的记忆特性,实现了一种全新的非易失性存储器件。这些研究结果证明了忆耦器理论模型的正确性,为忆耦在真实电路中的应用提供了可能。同时,也从基本电路元件的角度重新看待研究已久的磁电耦合效应,为磁电耦合效应的器件化应用开辟了新的空间。

  个人简介:

  尚大山,现为中国科学院物理研究所副研究员。2007年7月博士毕业于中国科学院上海硅酸盐研究所(陈立东课题组),2007-2009年中科院物理所博士后,2009年开始任中科院物理所副研究员,期间于2011-2012年任职于韩国首尔大学物理与天文系博士后,2012-2014年任职于德国亚琛工业大学洪堡研究员。研究工作主要围绕电致阻变效应(后又被称为忆阻效应)及其在信息存储器件中的应用,在忆阻材料体系探索和性能优化、忆阻物理机制研究、新型忆阻器件开发等方面取得了创新性研究成果,提出了基于磁电耦合效应的新型存储技术。尚大山副研究员在忆阻效应与磁电耦合等领域发表SCI论文四十余篇,他人引用超过六百余次,主持国家自然科学基金两项,主持完成国家自然科学基金青年基金项目一项,参与完成国家自然科学基金重点基金、科技部重大研究计划和北京市自然科学基金重大项目等研究课题。

 
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