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二维过渡金属硫化物的自旋、能谷特性研究

发布时间: 2017-03-06 10:46 | 【 【打印】【关闭】

  SEMINAR
The State Key Lab of
High Performance Ceramics and Superfine Microstructure
Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences

  中 国 科 学 院 上 海 硅 酸 盐 研 究 所 高 性 能 陶 瓷 和 超 微 结 构 国 家 重 点 实 验 室  

  二维过渡金属硫化物的自旋、能谷特性研究

  张青云 博士

  时间:2017年3月8日(星期三)上午10:00

  地点: 2号楼607会议室(国家重点实验室)

  欢迎广大科研人员和研究生参与讨论!

  联系人:刘建军(2801)

  报告人简介:

  张青云,2004年于西安交通大学应用物理专业获得学士学位,2010年于南京大学物理系获得博士学位。毕业后进入上海微电子装备有限公司开展光电系统研发工作2013年赴沙特阿卜杜拉国王科技大学材料工程系开展博士后工作,于2017年回国。研究领域主要包括二维材料的电子结构的预测、拓扑绝缘体电子特性研究和介观体系的输运性质:研究了应力对单层二硫化钼电子结构的影响,单层二硫化钽由于电荷密度波引起的自旋极化效应,以及磁近邻效应引起的自旋-谷极化效应,相关工作已发表在 Phys. Rev. B 和 Adv. Mater. 上;利用第一性原理的方法研究了应力对一系列材料拓扑性质的影响,相关工作发表在 Phys. Rev. B 和 Sci. Rep. 上;采用非平衡格林函数以及散射矩阵等理论方法,研究了基于石墨烯的铁磁/超导界面的镜面 Andreev 反射现象,以及正常/超导体系 HBT 干涉仪中的量子相干效应,相关工作发表在 Phys. Rev. Lett. 和 Chin. Phys. Lett. 上。