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中国科学院上海硅酸盐研究所研发成功4英寸碳化硅单晶
2013-02-05 18:32:09 | 编辑: | 【 【打印】【关闭】

中国科学院上海硅酸盐研究所立足自主研发,在掌握直径50.8mm(2英寸)、76.2mm(3英寸)碳化硅单晶生长技术之后,近日成功生长出直径100mm(4英寸)4H晶型碳化硅单晶。碳化硅单晶正朝着大尺寸的方向迅速发展。

碳化硅单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大,饱和漂移速度高,临界击穿场强大,热导率高等诸多特点,主要用于制作高亮度LED、二极管、MOSFET、IGBT等器件。在绿色照明领域,用碳化硅衬底制作的LED性能远优于蓝宝石衬底。2012年4月,科锐公司利用SiC衬底制作的LED其发光效率达到254 lm/w,再次创造了业界记录。在功率半导体领域,碳化硅有望实现Si材料无法实现的高效率及小型化。2012年,科锐、三菱电机、罗姆均推出了全碳化硅功率模块产品。飞兆半导体也宣布将于2013年上半年开始量产碳化硅基双极结型晶体管。碳化硅衬底需求将在短期内迎来一个爆发增长期。


中试基地
中科院透明光功能无机材料重点实验室

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