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张海武 研究员

学历:博士研究生

电话:无

电子邮件:zhanghaiwu@mail.sic.ac.cn

通讯地址:上海市嘉定区和硕路585号

邮政编码:201899

个人主页:无

个人简历:

张海武,现任信息功能材料与器件研究中心与功能晶体与器件全国重点实验室研究员。国家级高层次青年人才、上海市高层次青年人才、德国洪堡学者。聚焦信息功能材料(铁电/压电/电致伸缩等)与器件的原子制造研究,为5G/6G通讯、集成芯片、人工智能等领域的关键材料与核心器件提供解决方案。在Nature、Adv. Mater等国际学术期刊发表研究论文40余篇。受邀在Adv. Mater. Interface撰写“先进材料与界面名人堂(Hall of Fame) ”系列综述1篇。研究工作获得了Nature等学术期刊和Phys.org、 Chemical&Engineering News等国际知名新闻媒体的专题报道与正面评价。入选The Innovation Materials期刊‘新锐科学家’,担任《The Innovation Materials》、《无机材料学报》青年编委。参与欧盟地平线-2020项目(Horizon-2020)、欧盟研究理事会项目(ERC Advanced Grant),主持国家自然科学基金高层次青年人才、面上、上海市自然科学基金面上等项目。


主要研究方向:

1. 原子尺度模拟(DFT、MD/MC、高通量等)

2. 氧化物薄膜的原子级构筑、组装与集成

3. 基于氧化物界面的微纳器件的设计与优化


主要科研成果

近年承担主要项目(限5项):

1. 国家级高层次青年人才项目, 负责人, 国家任务, 2025.1-2027.12

2. 国家自然科学基金面上项目, 负责人, 国家任务, 2025.1-2028.12

3. 上海市自然科学基金面上项目, 负责人, 地方任务, 2024.10-2026.9


近年代表性论著(限5项):

1. H. Zhang,#* N. Pryds,#* et al.,* Atomically engineered interfaces yield extraordinary electrostriction. Nature, 2022, 609, 695-700. 

2. Y. Li,* H. Zhang,* N. Pryds,* et al., Stacking and twisting of freestanding complex oxide thin films, Adv. Mater, 2022, 34, 2203187.

3. H. Zhang, I. E. Castelli,* S. Santucci, S. Sanna, N. Pryds, and V. Esposito,* Atomic-scale insights into electro-steric substitutional chemistry of cerium oxide, Phys. Chem. Chem. Phys, 2020, 22, 121900-21908.

4. H. Zhang,* and R. A. De Souza,* Optimising oxygen diffusion in non-cubic, non-dilute perovskite oxides based on BiFeO3, J. Mater. Chem. A, 2019, 7, 25274-25278.

5. H. Zhang,* A. H. H. Ramandan, and R. A. De Souza,* Atomistic simulations of ion migration in sodium bismuth titanate (NBT) materials: towards superior oxide-ion conductors, J. Mater. Chem. A, 2018, 6, 9116-9213.

# equal contribution, *corresponding author